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磁場高斯定理的證明

作者:佚名    文章來源:本站原創(chuàng)    點(diǎn)擊數(shù):    更新時(shí)間:2020/3/22
根據(jù)閉奧薩伐爾定律,單個(gè)電流元IdL產(chǎn)生的磁感應(yīng)線是以 dL方向韋軸線的圓,如圖,圓周上元磁場的數(shù)值處處相等:

        磁場高斯定理的證明

在磁感應(yīng)線穿入處取一面元dS1,穿出處取另一面元dS2,IdL產(chǎn)生的磁場通過兩面元的磁感應(yīng)通量分別為:
 

由于磁感應(yīng)管呈嚴(yán)格的圓環(huán)狀,其正截面處處相等,故
所以,即 。所以高斯定理對單個(gè)電流元成立。

根據(jù)磁場疊加原理,任意載流回路產(chǎn)生的總磁場B是各電流元產(chǎn)生的元磁場dB的矢量和, 從而通過某一面元dS的總磁通量是各電流元產(chǎn)生元磁通的代數(shù)和。至此,磁場的"高斯定理"得到了完全證明。
Tags:磁場,高斯定理  
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