場效應管單級放大電路原理圖

場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型(junction FET-JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(10~10Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

場效應管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。

由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。

FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。

場效應管是常見的電子元件，屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。