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會員注冊- 2018/4/25什么是空穴?半導體技術
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- 2017/7/12圖解三極管的基本結構和特點
- 把基極電流的微小變化能夠引起集電極電流較大變化的特性稱為晶體管的電流放大作用。 實質:用一個微小電流的變化去控制一個較大電流的變化。 三極管放大的外部條件：發射結正偏、集電結反偏 從電位的角度 ...[閱讀全文]
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- 2017/7/12圖示三極管的伏安特性曲線
- 三極管的伏安特性曲線可由共射接法的輸入特性曲線和輸出特性曲線來說明： 1. 輸入特性曲線 是指當 U CE 不變時，輸入電壓 U BE 和輸入電流 I B 之間的關系曲線，如圖1.6所示。[閱讀全文]
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- 2017/4/29CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理，三態門之高阻態的理解
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- 2016/11/17什么是本征半導體?本征半導體載流子濃度
- 通過一定的工藝過程，可以將半導體制成晶體。完全純凈的、結構完整的半導體晶體稱為本征半導體。 1、本征半導體的晶體結構 在硅和鍺晶體中，原子在空間形成規則的晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體[閱讀全文]
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- 2016/11/3二極管的V-I特性
- 半導體二極管的V–I 特性如圖所示。下面對V–I 特性分三部分加以說明。 二極管的V–I 特性曲線1．正向特性 正向特性表現為圖中的①段。此時正向電壓較小，正向電流幾乎為零。此工作區域稱為死區。[閱讀全文]
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- 2016/11/3二極管的小信號模型
- 二極管的小信號模型：二極管小信號模型如圖(b)所示。如果二極管在圖（a）中的靜態工作點Q（vD=VD，iD=ID）附近工作，則可把V-I 特性看成為一條直線，其斜率的倒數就是所要求的小信號模型的微變電阻rd， rd=dvD/diD[閱讀全文]
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- 2016/11/3半導體二極管的開關特性
- 因為半導體二極管具有單向導電性，所以它相當于一個受外加電壓極性控制的開關。 (a) 開關電路 (b)輸入高電平時的等效電路 (c)輸入低電平時的等效電路 圖1 二極管靜態開關電路及其等效電路 二極管動態開關特性。[閱讀全文]
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- 2016/11/3半導體器件的開關特性
- 數字電路中的晶體二極管、晶體三極管（簡稱BJT）和MOS管等器件一般是以開關方式運用的。[閱讀全文]
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- 2016/11/3半導體的光電效應
- 半導體材料的光電效應是指如下情況：光照射到半導體的P-N結上，若光子能量足夠大，則半導體材料中價帶的電子吸收光子的能量，從價帶越過禁帶到達導帶，在導帶中出現光電子，在價帶中出現光空穴，即光電子．空穴對[閱讀全文]
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- 2016/10/19二極管的電容效應
- 二極管具有電容效應。它的電容包括勢壘電容CB和擴散電容CD。1．勢壘電容CB（Cr）前面已經講過，PN結內缺少導電的載流子，其電導率很低，相當于介質；而PN結兩側的P區、N區的電導率高，相當于金屬導體。從這一結構來 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/19二極管的恒壓降模型
- 二極管的恒壓降模型及代表符號如圖所示。該模型建立的基本思想是當二極管導通后，其管壓降可認為是恒定的，不隨電流而變，且導通電壓的典型值為0.7V（硅管）。此模型只有當二極管的電流 iD近似等于或大于1mA時才是正確的。該模型提供 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/19半導體二極管的伏安特性曲線
- 半導體二極管的伏安特性曲線，半導體二極管的伏安特性曲線如圖1所示。處于第一象限的是正向伏安特性曲線，處于第三象限的是反向伏安特性曲線。[閱讀全文]
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- 2016/10/19半導體的導電原理
- 半導體的導電原理 不含雜質的半導體稱為本征半導體。半導體硅和鍺的最外層電子有四個，故而稱它為四價元素，每一個外層電子稱為價電子。為了處于穩定狀態，單晶硅和單晶鍺中的每個原子的四個價電子都要和相鄰原子的 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/19本征半導體中的兩種載流子
- 本征激發在室溫下，本征半導體共價鍵中的價電子獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛進入導帶，成為自由電子，在晶體中產生電子-空穴對的現象稱為本征激發。 空穴在本征激發中，價電子成為自由電子后共價鍵上留下空位，這個空位稱為空穴 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/14PN結的工作特性(一)
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- 來源：本站原創作者：佚名點擊數：1612
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