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電磁爐各部分電路的功能原理 , 電磁爐電路原理粗解!

作者:佚名    文章來(lái)源:本站原創(chuàng)    點(diǎn)擊數(shù):    更新時(shí)間:2025/3/12

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電磁爐各部分電路的功能原理

電磁爐的電路構(gòu)成主要包括以下幾個(gè)部分‌:

  1. 高壓整流變換電路‌:該電路將市電經(jīng)過(guò)電容、電感濾波后,通過(guò)整流變成約310V的直流電,提供給線圈盤和IGBT管作為正常工作電壓。主要元件包括電容、電感、壓敏電阻、保險(xiǎn)管和橋堆‌。

  2. 低壓電源穩(wěn)壓電路‌:將高壓直流電壓經(jīng)過(guò)開關(guān)電路降壓和穩(wěn)壓后,輸出電磁爐所需的低壓電源,如18V和5V。這些電壓分別用于電磁爐的各個(gè)部件,如風(fēng)扇、控制電路等‌。

  3. LC振蕩逆變電路‌:通過(guò)IGBT的導(dǎo)通與截止,使電流在線圈盤與高頻電容間形成振蕩,在鐵質(zhì)鍋底形成渦流加熱。主要元件包括功率管(IGBT)、勵(lì)磁線圈和高頻電容等‌。

  4. 同步檢測(cè)電路‌:從線圈盤與高頻諧振電容并聯(lián)電路兩端檢測(cè)同步信號(hào),經(jīng)整形放大后控制IGBT的G極驅(qū)動(dòng)電壓,確保IGBT的開關(guān)脈沖電壓與C極峰值電壓同步‌。

  5. 振蕩鋸齒波形成電路‌:根據(jù)同步檢測(cè)電壓與CPU生成的驅(qū)動(dòng)控制電壓形成鋸齒波電壓,用于驅(qū)動(dòng)后級(jí)電路‌。

  6. IGBT高壓保護(hù)電路‌:檢測(cè)IGBT的反峰逆程脈沖電壓,保護(hù)IGBT不受損壞‌。

  7. 浪涌保護(hù)電路‌:在市電突然出現(xiàn)浪涌電壓時(shí),檢測(cè)電壓信號(hào)并使IGBT截止,保護(hù)電磁爐不受損壞‌。

  8. 鍋具溫度檢測(cè)電路‌:通過(guò)線圈盤中央的熱敏電阻監(jiān)測(cè)溫度變化,防止高溫?fù)p壞電磁爐‌。

  9. IGBT溫度檢測(cè)電路‌:利用熱敏電阻監(jiān)測(cè)IGBT的溫度變化,防止過(guò)熱損壞‌。

電磁爐的工作原理‌:電磁爐通過(guò)線圈盤產(chǎn)生交變磁場(chǎng),在鍋具底部產(chǎn)生渦流,利用渦流的短路熱效應(yīng)產(chǎn)生熱量。電磁爐的高壓主回路由220V交流電經(jīng)過(guò)整流橋整流得到約311V的直流高壓,通過(guò)控制IGBT開關(guān)管的通斷來(lái)調(diào)節(jié)電磁爐的功率和功能‌。


這是我們現(xiàn)實(shí)生活中最常用的電磁爐

電磁爐結(jié)構(gòu)原理 

這是電磁爐內(nèi)部的電路板

電磁爐內(nèi)部的電路板 

這是電磁爐電路的整體框架圖

電磁爐電路的整體框架圖 

(1)市電濾波保護(hù)電路簡(jiǎn)介

市電濾波保護(hù)電路 

原理分析:FUSE保險(xiǎn)絲作為過(guò)流保護(hù),CNR1為壓敏電阻,主要是作為防止市電過(guò)高,損壞電磁爐的器件,C1為高頻濾波電容。DB1為整流橋,主要是將交流電轉(zhuǎn)化為直流電做準(zhǔn)備,DB1出來(lái)的直流電還不是平滑的直流電,還需要后面的L1和C2組成的LC濾波電路才能得到平滑的直流電。LC濾波后的電壓為300V左右,為功率管供電。

(2)低壓電源電路

低壓電源電路 

原理分析:R1為限流電阻,C1為濾波電容。IC1為開關(guān)電源芯片(VIPer12A),目前市面上有很多的開關(guān)電源芯片,不僅限于這款。18V輸出主要為功率管,風(fēng)扇電機(jī),振蕩器的電路供電,5V輸出為CPU,操作顯示,指示燈電路供電。

(3)主功率回路

主功率回路 

前提:如圖a所示,電磁爐典型的主回路主要有:線圈L2,諧振電容C2,阻尼管D1構(gòu)成(有些IGBT工藝形成內(nèi)部的阻尼管),其中L2和C2是并聯(lián)一起組成了典型的振諧電路。

原理分析:首先是t1-t2時(shí)間段的分析(VG是加載在IGBT G極的脈沖,Ic是線圈的電流,VC是振諧電容C2的電壓),開始是高電平加載到Q1的G極使管子導(dǎo)通,之后300V的電壓通過(guò)L2和Q1的CE結(jié)構(gòu)組成回路,但由于電感中的電流不能突變,所以導(dǎo)通的電流I1在t1-t2時(shí)刻是緩慢的線性上升,則L2的轉(zhuǎn)態(tài)是左正右負(fù)。直到t2時(shí)刻電流達(dá)到最大。

接著是t2-t3時(shí)間段,加載在Q1的G極電平變成低電平,使Q1截止,同理,由于電感的電流不能突變,所以電動(dòng)勢(shì)會(huì)緩慢下降,從而對(duì)C2進(jìn)行首次充電,VC在t2時(shí)刻首次上升,(實(shí)現(xiàn)功率管的零電壓關(guān)斷,即功率管Q1關(guān)斷瞬間Q1的C極電壓最低)而L2的轉(zhuǎn)態(tài)為右正左負(fù),直到t3時(shí)刻,I2變成0,C2右端電壓達(dá)到最大,此時(shí),C1兩端的電壓和C2兩端的電壓疊加一起加到Q1的CE極上,如果此時(shí)導(dǎo)通Q1,將損壞IGBT管,這也是設(shè)計(jì)同步控制電路的初衷。

t3-t4時(shí)間段,由于Q1已經(jīng)截止,所以C2中存儲(chǔ)的電能會(huì)先L2放電,從而產(chǎn)生電流I3,當(dāng)I3達(dá)到最大負(fù)值時(shí),C2兩端的電壓為0,存儲(chǔ)的電能直接轉(zhuǎn)換成線圈L2的磁能。

t4-t5時(shí)間段,由于I3不能突變?yōu)榱悖跃圈L2又產(chǎn)生左正,右負(fù)的電動(dòng)勢(shì),該電動(dòng)勢(shì)直接由阻尼管D1和電容C1組成的回路進(jìn)行放電,產(chǎn)生電流I4。

t5時(shí)間段,Q1功率管在高電平下導(dǎo)通,從而真正實(shí)現(xiàn)零電壓導(dǎo)通。

注:t4-t5時(shí)刻之間VC(電容兩端的電壓)為負(fù)值,因?yàn)镼1管第一次截止的時(shí)候,反向電動(dòng)勢(shì)是左負(fù)右正,電容的電壓是0負(fù)以上(也就是正極),當(dāng)電容C2自身的能量全部給與L2線圈時(shí),也就是電流I3,但由于不能突變,所以直接產(chǎn)生反向電動(dòng)勢(shì)為左正右負(fù),則和原來(lái)的方向正好相反。

(4)同步控制電路與振蕩電路

同步控制電路與振蕩電路 

前提:圖a為電磁爐經(jīng)典的同步控制振蕩電路圖。同步振蕩電路設(shè)計(jì)初衷:如果主回路的振蕩過(guò)程沒(méi)有結(jié)束時(shí),Q1功率管導(dǎo)通的話很容易因?yàn)楣倪^(guò)大而損壞。所以,必須通過(guò)同步控制電路對(duì)振蕩電路進(jìn)行控制,以保證功率管Q1的C極電壓降為0時(shí),才能讓電路輸出高電平脈沖,使功率管導(dǎo)通。

原理分析:線圈L2上端產(chǎn)生的電壓通過(guò)R1,R2取樣產(chǎn)生取樣電壓U4,加到IC1的反相輸入端4腳,同時(shí)L2下端產(chǎn)生的電壓通過(guò)R3,R4,R5取樣后同樣會(huì)產(chǎn)生取樣U5,加到IC1的同時(shí)輸入5腳,開機(jī)后,CPU輸出的啟動(dòng)脈沖(鍋具檢測(cè)脈沖)通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路放大后使功率管Q1導(dǎo)通,L2產(chǎn)生上正,下負(fù)的電動(dòng)勢(shì),使U4大于U5,經(jīng)比較器A比較放大后使2腳電位為低電平,通過(guò)C3將IC1的6腳電位鉗位到低電平,低于IC1 7腳輸入的參考電壓,比較器B的輸出端1腳輸出高電平,再經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)電路放大,使Q1繼續(xù)導(dǎo)通。同時(shí)5V電壓通過(guò)R8,R6,C3和IC1 2腳內(nèi)部電路構(gòu)成的充電回路為C3充電。當(dāng)C3右端所充電電壓高于IC1的7腳電位后,IC1的1腳電位變?yōu)榈碗娖剑ㄟ^(guò)驅(qū)動(dòng)電路放大使Q1截止,流過(guò)L2的導(dǎo)通電流消失,于是L2通過(guò)自感產(chǎn)生下正,上負(fù)的電動(dòng)勢(shì),使U5大于U4,致使IC1的2腳輸出高電平,通過(guò)C3使IC1的6腳電位高于7腳電位,確保Q1截止。隨后,無(wú)論是L2對(duì)諧振電容C2充電期間,還是C2對(duì)L1放電期間(即t2-t4期間),L2下端電位都會(huì)高于上端電位,使取樣電壓U5大于U4,致使IC1的2腳電位為高電平,Q1都不會(huì)導(dǎo)通。t4時(shí)刻,L2通過(guò)C1,D1放電期間,使取樣電壓U4高于U5,使IC1 2腳電位為低電平,由于電容兩端電壓不能突變,所以C3兩端電壓通過(guò)D2,R7構(gòu)成的回路放電。當(dāng)L2通過(guò)D1放電結(jié)束,并且C3通過(guò)R7放電使IC1的6腳電位低于7腳電位后,IC1的1腳再次輸出高電平,通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路放大后使功率管Q1再次導(dǎo)通,從而實(shí)現(xiàn)同步控制。

(5)激勵(lì)脈沖形成和功率調(diào)節(jié)電路

激勵(lì)脈沖形成和功率調(diào)節(jié)電路 

原理分析:R1,C1為低通濾波電路,CPU發(fā)出的PWM經(jīng)過(guò)R1后加載在比較器LM339的同相輸入端,而LM339的反相輸入端為鋸齒波,當(dāng)同相輸入端電壓高于反相輸入端時(shí),VO為高電平,反之為低電平。當(dāng)PWM的占空比加大時(shí),VO為高電平的時(shí)間延長(zhǎng),致使功率管的導(dǎo)通時(shí)間加長(zhǎng),線圈能量加大,功率上升,反之降低。

(6)IGBT功率管驅(qū)動(dòng)電路

IGBT功率管驅(qū)動(dòng)電路 

原理分析:(典型的推挽放大電路)當(dāng)PWM的脈沖為高電平的時(shí)候,Q1導(dǎo)通,Q2截止,當(dāng)PWM為低電平時(shí),Q1截止,Q2導(dǎo)通。放大后的信號(hào)從Q1的E極輸出,使Q3導(dǎo)通。其中穩(wěn)壓管ZD1主要是防止Q3過(guò)激損壞而加保護(hù)器件。

(7)電流自動(dòng)控制電路

電流自動(dòng)控制電路 

(注:簡(jiǎn)單的或者對(duì)成本有要求的電磁爐一般不會(huì)加入這個(gè)電路)

原理分析:當(dāng)Q1功率管導(dǎo)通之后,電流在取樣電阻R1兩端產(chǎn)生電壓,電壓通過(guò)R2后加載在IC1的同相輸入端,反相輸入端端由R3,R4分壓后加載,Q1未導(dǎo)通時(shí),加載在同相輸入端的電壓比較低,所以IC1輸出端輸出低電平,當(dāng)Q1導(dǎo)通后電流在R1上產(chǎn)生的電壓值大于反相端的比較電壓值,則IC1的輸出端輸出高電平,通知CPU調(diào)節(jié)占空比,以減低流過(guò)線圈的電流。

(8)IGBT功率管C極過(guò)壓保護(hù)電路

IGBT功率管C極過(guò)壓保護(hù)電路 

原理分析:R1,R2分壓之后C1濾波加載在同相端,Q1的C極電壓通過(guò)R3,R4,R5分壓后,加到LM339反相輸入端。當(dāng)Q1的C極產(chǎn)生的反峰電壓在正常范圍內(nèi)時(shí),LM339的6腳低于7腳電平,于是LM339的1腳內(nèi)部電路為開路狀態(tài),不影響CPU輸出的功率調(diào)整電壓,電磁爐正常工作。當(dāng)諧振電容C0容量減少等原因引起Q1的C極產(chǎn)生的反峰電壓過(guò)高時(shí),會(huì)直接導(dǎo)致LM339的6腳電平高于7腳電平,導(dǎo)致LM339的1腳內(nèi)部導(dǎo)通,通過(guò)R6將LM339的5腳輸出的功率調(diào)整電壓直接拉低,于是LM339的2腳輸出低電平,Q1截止。從而保護(hù)功率管。

好了,今天就先寫到這吧!

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Tags:電磁爐,電路原理  
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