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會員注冊| 一、工作原理 |
| 圖一為雙穩(wěn)態(tài)電路，它是由兩級反相器組成的正反饋電路，有兩個穩(wěn)定狀態(tài)，或者是BG1導(dǎo)通、BG2截止；或者是BG1截止、BG2導(dǎo)通，由于它具有記憶功能，所以廣泛地用于計數(shù)電路、分頻電路和控制電路中， 原理，圖2（a）中，設(shè)觸發(fā)器的初始狀態(tài)為BG1導(dǎo)通，BG2截止，當(dāng)觸發(fā)脈沖方波從1端輸入，經(jīng)CpRp微分后，在A點(diǎn)產(chǎn)生正、負(fù)方向的尖脈沖，而只有正尖脈沖能通過二極管D1作用于導(dǎo)通管BG1的基極是。ic1減小使BG1退出飽和并進(jìn)入放大狀態(tài)，于是它的集電極電位降低，經(jīng)電阻分壓器送到截止管BG2的基極，使BG2的基極電位下降，如果下降幅度足夠時，BG2將由截止進(jìn)入放大狀態(tài)，因而產(chǎn)生下列正反饋過程（看下列反饋過程時，應(yīng)注意：在圖一的PNP電路中，晶體管的基極和集電極電位均為負(fù)值，所以uc1↓，表示BG1集電極電位降低，而uc1↑則表示BG1集電極電位升高，當(dāng)BG1基極電位降低時，則ic1↑，反之當(dāng)BG1基極電位升高時，ic1↓ |
| ic1越來越小，ic2越來越大，最后到達(dá)BG1截止、BG2導(dǎo)通；接差觸發(fā)脈沖方波從2端輸入，并在t=t2時，有正尖脈沖作用于導(dǎo)通管BG2的基極，又經(jīng)過正反饋過程，使BG1導(dǎo)通，BG2截止。以后，在1、2端的觸發(fā)脈沖的輪流作用下，雙穩(wěn)電路的狀態(tài)也作用相應(yīng)的翻轉(zhuǎn)，如圖一（b）所示。 |
 圖一、雙穩(wěn)態(tài)電路 |
| 由上述過程可見：（1）雙穩(wěn)態(tài)電路的尖頂觸發(fā)脈沖極性由晶體管的管型決定：PNP管要求正極性脈沖觸發(fā)，而NPN管卻要求負(fù)極性脈沖觸發(fā)。（2）每觸發(fā)一次，電路翻轉(zhuǎn)一次，因此，從翻轉(zhuǎn)次數(shù)的多少，就可以計算輸入脈沖的個數(shù)，這就是雙穩(wěn)態(tài)電路能夠計算的原理。 雙穩(wěn)態(tài)電路的觸發(fā)電路形式有：單邊觸發(fā)、基極觸發(fā)、集電極觸發(fā)和控制觸發(fā)等。 圖二給出幾種實(shí)用的雙穩(wěn)態(tài)電路。電路（a)中D3、D4為限幅二極管，使輸出幅度限制在-6伏左右；電路（b）中的D5、D6是削去負(fù)尖脈沖；電路（C）中的ui1、ui2為單觸發(fā)，ui為輸入觸發(fā)表一是上述電路的技術(shù)指標(biāo)。 |
 圖二、幾種實(shí)用的雙穩(wěn)態(tài)電路 |
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| 二、雙穩(wěn)態(tài)電路的設(shè)計 |
 圖三、雙穩(wěn)態(tài)的設(shè)計電路 |
| 雙穩(wěn)態(tài)設(shè)計電路見表二 |
| 表二 | 雙穩(wěn)態(tài)電路的設(shè)計公式及計算實(shí)例 | |
| 要求 | （1）輸出幅度Um=6V,（2）上升時間，tr≤100nS （3）最高工作頻率fmax=1MHz | |
| 步驟 | 計算公式 | 計算實(shí)例 |
| 選擇晶體管 | 若工作頻率高時，應(yīng)選用高速硅開關(guān)管 若工作頻率低可選用低頻硅或鍺管 |
現(xiàn)選3DK，β=50 二極管選用2CK10 |
| 選擇電源電壓 | 圖3為設(shè)計電路，故應(yīng)確定ED、EC、EB | ∵采用箝位電路，故選ED≈Um ∴ED=6V，Ec=2ED=12v,Eb=-12 |
| 計算Rc | Rc＜Ec/ED tr/CL CL為集電極對地的電容（包括加速電容、分布電容、后級輸入電容） |
現(xiàn)設(shè)CL=180pF Rc＜12/6 100×10  /180×10 =1.1kΩ |
| 計算Rk、RB | 為保證可靠截止，應(yīng)滿足： Uces-[(EB+Uces)/(RK+RB)]RK＜Ubeo 為保證可靠飽和，應(yīng)滿足： β{[(Uco-Ubes)/RK]-[(EB+Ubes)/RB]}＞[(Ec-Uces)/Rc]+IL 式中：Uces為飽和電壓，對硅管Uces≈(0.3～0.4)V Ubeo為截止管臨界電壓，Ubeo≈0.2V Uco為截止管的集電極電壓，應(yīng)取：Uco=ED+(箝位管正向壓降）IL為雙穩(wěn)電路灌入負(fù)截電流 |
現(xiàn)選Uces=0.4V,Ubeo=0.2V 0.4-[(12+0.4)/(Rk+RB)]Rk＜0.2 ∴RB＜61RK (A) 現(xiàn)設(shè)IL=100mA,Ueo=6+0.4=6.4V 50[(6.4-0.7)/RK]-[(12+0.7)/RB]＞[(12-0.4)/1]+10 ∴RB＞12.7RK/(5.7-0.43RK (B) 若選RK=6.8k由（A）算得RB＜415K，由(B)式算得RB＞31K，故選RB=39K |
| 選擇CrRr | RrCr≤1/2fmax,通常Cr為幾十pF |
現(xiàn)選Cr=51pF ∴Rr≤1/6×10  51×10=3.2k故選Rr=2.4k |
| 選擇加速電容CK | 對合金管CK為幾百pF對高頻外延管CK為幾十pF | 現(xiàn)選Ck=51pF 計算結(jié)果標(biāo)在圖三中 |
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